Samsung lansează memorie AI de ultimă generație pentru sisteme AI

Samsung Electronics a dezvăluit în marți o nouă serie de soluții de memorie destinate inteligenței artificiale, iar compania din Coreea de Sud își propune să-și întărească statutul de lider în fabricarea cipurilor pe o piață AI în expansiune rapidă, potrivit Reuters.

Principala companie de cipuri de memorie la nivel mondial a optat pentru participarea la evenimentul „Future of Memory and Storage” (FMS) organizat anul acesta în Santa Clara, California, pentru a expune prototipul V10 Bonding V-NAND – denumit și BV-NAND. V10 Bonding V-NAND conține peste 400 de straturi și adoptă o arhitectură inovatoare de lipire a plăcilor (wafer‑bonding) menită să amplifice densitatea de stocare și să îmbunătățească performanța.

Pe măsură ce activitățile AI s-au diversificat dincolo de antrenarea modelelor lingvistice de mari dimensiuni (LLM-uri) și s-au extins către generarea de răspunsuri la solicitările utilizatorilor, necesitatea de NAND cu capacitate ridicată a crescut. Memoria flash NAND servește la depozitarea elementelor precum fotografii, videoclipuri și aplicații pe aparate precum smartphone-urile sau SSD-urile.

Citește șiAxis BootCamp 2026: demonstrații tehnice și experiență practică la Snagov

Gigantul sud-coreean afirmă că tehnologia sa BV-NAND crește densitatea memoriei cu aproximativ 58% față de versiunea anterioară V9 NAND, îmbunătățind în același timp performanțele de citire, scriere și intrare/ieșire pentru a răspunde cererii crescânde din partea sistemelor de AI care necesită stocare de capacitate mai mare și mai eficientă din punct de vedere energetic.

Samsung a arătat, de asemenea, prototipuri teoretice ale ceea ce a numit prima structură zHBM și zNAND-O din domeniu, accentuând perspectiva firmei asupra memoriei 3D de viitor, care „stivuiește” celulele de memorie în verticală pentru a păstra mai multe informații.

În contrast cu memoriile tradiționale cu lățime mare de bandă, amplasate lângă cipurile AI, Samsung a prezentat tehnologia zHBM care depozitează datele pe verticală, direct deasupra acceleratoarelor de IA, pentru a scurta distanța parcursă de informații, crescând astfel lățimea de bandă și sporind simultan eficiența energetică.

Samsung afirmă că tehnologia sa de îmbinare a plăcilor de siliciu ar putea asigura o densitate de memorie peste zece ori superioară celei oferite de memoriile convenționale HBM5, în același timp tripluând eficiența energetică și diminuând rezistența termică cu peste jumătate.

În timp ce unii investitori manifestă îngrijorare privind viitoarea cerere de cipuri de memorie, în contextul scăderii cererii de smartphone-uri în China, analiștii evidențiază o cerere excepțională și intensă în domeniul AI.

Samsung a evidențiat, în comunicarea din săptămâna precedentă, că cererea robustă din sectorul AI ar putea face ca contractele pe termen lung cu clienții să constituie între 60% și 70% din totalul vânzărilor sale de cipuri de memorie.

Analiștii de la Citi au afirmat, într-o notă publicată luna trecută, că stocurile din lanțurile de aprovizionare atât pentru memoriile DRAM, cât și pentru cele de tip NAND au rămas cu mult sub nivelurile istorice, în ciuda îngrijorărilor legate de scăderea cererii pe piața finală.